前言

        22年，世界半導財產結束反復高生長，開啟調控的周期。與此構成比，在新生物質能轎車、光伏發電、存儲等訴求發揮下，再者代半導財產穩定高速的孩子成長，世界化現貨供應鏈系統制度尚未構成，角逐大格局漸漸成立，財產邁進高速 孩子成長期。而國內的再者代半導財產在后期的生的生產學習能力力安排和產線構建，國廠再者代半導產品接二連三開拓成就 并在查證，技術應用穩步推進改善，的生的生產學習能力力一個勁緩解壓力，國廠氫氟酸處理硅(SiC）功率器件及控制模塊開使“上機”，園林制度慢慢的改善，自動穩定學習能力一個勁加強，整個角逐知名愈發改善。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《20223.點代半導體材料材料芯片器件高新產業不間斷發展專業整個行業研究報告》界面顯示，2030年各國3.點代半導體材料材料芯片器件輸出電子器件器材和紅外光頻射兩各個領域構建總總值141.7萬億美元，較202在一年上升11.7%，擴產不間斷放。這里面，SiC擴產上升翻一番，GaN擴產上升超30%，匯總注資擴產計劃表較202在一年環比增速率率上升36.7%。的同時，跟隨著智能各類汽車專業整個行業飛速上升，光伏太陽能、儲蓄能量的需求推升，2030年各國3.點代半導體材料材料芯片器件輸出電子器件器材和紅外光頻射專業整個行業總大小實現194.2萬億美元，較202在一年上升34.5%。這里面，輸出半導體材料材料芯片器件專業整個行業超出105.5萬億美元，紅外光頻射專業整個行業約88.6萬億美元。

        估計，202兩年將是3代半導體行業異彩紛呈的5年，整個市場將代禱一位“科技盡快進一步、加工業盡快增長率、八字格局大轉變”的“西漢時代英文”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        凡此種種，第三個代寬禁帶半導體器件芯片資料的學習也推進項目建設著LED照明設計燈具財產的不息未來發展，從Mini-LED到Micro-LED，定期關系半導體器件芯片照明設計燈具財產，并且在大耗油率智能機械器、UV紫外線消毒殺菌/觀測行業產生主要要的做用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        迄今為止，功效半導芯片電子電子電子元件行業產生 出整合化和輸出模塊化設計、高功能和高可以信賴性、多電平技術、多功能電子電子電子元件節構和施工工藝、智能安防系統化和可構建等發展趨勢研究分析和發展放向。功效半導芯片電子電子電子元件為app于嚴歷情況下的高功效密度單位電子電子電子元件，對電子電子電子元件可以信賴性需求生活于所有的半導芯片電子電子電子元件的前某。對此，對電子電子電子元件招商精準的功能測試需求、契合動用情況的可以信賴性測試能力相應確切的不能正常工作研究分析方法將更有效的改善功效半導芯片電子電子電子元件設備的功能及可以信賴性突出表現。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 依據廣，高至300V低至1pA- 最高脈沖造成的高寬比200μs- 合理度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺極限3500V交流電壓轉換(可加密10kV)- 檢測的電流量低至1nA- 準確率度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 導出電流量達1000A- 數臺串并聯相當于6000A- 50μs-500μs的輸入脈沖長度可控- 單脈沖邊沿陡(非常典型日子15us)- 四公里同部側量工作電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 直流電源/脈沖信號哪幾種直流電壓讀取狀態- 大脈寬電流值，最高的可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式的設計，1CH/插卡，最底扶持10區域

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*環節畫面主要來源：信息公開素材歸整

*環節個人信息來歷：華人經濟發展時報《中國國家3代光電器件文化產業綜合開啟成長的期》郭錦輝

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