概述
SiC/IGBT及其應用發展
IGBT(隔絕電阻柵雙極型納米線管)是電氣操作和電氣變換的管理的本質電子元件,是由BJT(雙極型納米線管)和MOS(隔絕電阻柵型場滯后效應管)結構的黏結全控型電流電壓驅動包式耗油率半導體芯片電子元件,兼有高插入性阻抗、低導通壓降、高速路按鈕性和低導通的情況耗率等顯著特點,在較中頻帶寬度的大、中耗油率技術應用中贏得口碑了為核心位置。SiC/IGBT功率半導體器件主要測試參數
近些年里IGBT變成了輸配電微電子廠行業中特別關注的輸配電微電子廠集成電路芯片,并取到越發越常見的應該用,那就IGBT的檢測就變的特別根本了。lGBT的檢測有冗余數據性能檢測、技術性性能檢測、電功率循環系統、HTRB穩定質量檢測等,這部分檢測中最差不多的檢測還是冗余數據性能檢測。 由于半導體設備單片機IC心片材料行業單片機IC心片新工藝新工藝總是提高自己,檢查圖片和印證也更多更多重點。普通來說,最關鍵的的額定效率半導體設備單片機IC心片材料行業單片機IC心片效率元器性狀可不可以分為冗余變量性狀、新動態性狀、旋鈕特 性。冗余變量枝術主要叁數性狀最關鍵的是表現效率元器本征性狀條件,與本職做工作必要條件可有可無的涉及枝術主要叁數,如多額定效率效率元器的的冗余變量直流變壓器枝術主要叁數(如損壞直流相端電壓降 V(BR)DSS、漏瞬時電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、域值直流相端電壓降VGS(th)、跨導Gfs、壓降VF 、導通阻值RDS(on))等。 額定效率半導體設備單片機IC心片材料行業單片機IC心片效率元器不是種黏結全控型直流相端電壓降驅動程序式效率元器,不同于高搜索電位差和低導通壓降三方面的優勢之處;的同時半導體設備單片機IC心片材料行業單片機IC心片額定效率效率元器的單片機IC心片屬 于電量電子為了滿足電子時代發展的市場需求,單片機IC心片,必須 本職做工作在大瞬時電流、高直流相端電壓降、低平率的周圍環境下,對單片機IC心片的牢靠性條件較高,這給檢查圖片造成沒事定的難度。市場 導出統的測量枝術和機器設備儀容儀表普通可不可以遮蓋效率元器性狀的檢查圖片市場需求,同時寬禁帶半導體設備單片機IC心片材料行業單片機IC心片效率元器SiC(氧化硅)或GaN(氮化鎵)的枝術卻 非常大的發展了進行高壓電、快速路的分散時間。該如何準確度表現額定效率效率元器高流/進行高壓電下的I-V身材曲線或各種冗余變量性狀,這就對效率元器的檢查圖片工具軟件推出更 為嚴歷的挑戰性。普賽斯IGBT功率半導體器件靜態參數測試解決方案
PMST品類耗油率元器冗余數據叁數軟件檢測儀軟件檢測儀平臺的的是合肥普賽斯朝設計方案、精益管理著力打造的精密加工機械電阻/工作電流軟件檢測儀軟件檢測儀剖析平臺的的,是一種款能提供數據IV、 CV、跨導等雄厚能力的融合軟件檢測儀軟件檢測儀平臺的的,有高精密度較、寬測定條件、引擎化設計方案、愉快優化尋址等優質,契機周到擁有從基本知識耗油率 場效應管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體材料SiC、GaN等晶圓、心片、元器及引擎的冗余數據叁數研究方法和軟件檢測儀軟件檢測儀,并有出色的測定 利用率、完全有效性與可以信賴性。讓每過程師動用它都能成為市場專家。 對于顧客區別試驗情況的用到消費需求,普賽斯最新發行 PMST工作瓦數器材空態規格試驗設計、PMST-MP工作瓦數器材 空態規格產線半自動化試驗設計、PMST-AP工作瓦數器材靜 態規格產線全自動化試驗設計兩款工作瓦數器材空態規格試驗設計。產品特點
1、高電壓、大電流
2、高精度測量
3、模塊化配置
4、測試效率高
5、軟件功能豐富
6、擴展性好
硬件特色與性能優勢
1、大電流輸出響應快,無過沖
選用自己規劃設計的高特性單電脈沖式大功率值源、進行高壓源,打印輸出樹立過 程積極地響應快、無過沖。檢測方法過程中 中,大功率值典型案例升高時為15μs, 脈寬在50~500μs兩者之間能自由調節。選用單電脈沖大功率值的檢測方法手段,但是有 效下降集成電路芯片因自個低熱產生的粗差。2、高壓測試支持恒壓限流,恒流限壓模式
主要包括有意識的主動設計規劃的高耐磨性油田源,輸送構建與斷線積極響應快、無過 沖。在電壓電流值擊穿電壓電流值檢驗中,可重設電流大小規定以及電壓電流值限制值,解決辦法 元器因過壓或過流導至毀損。規格參數