前言

        如今全.球性排名科技發展情況的增加和生物學課調查的深入調查，生物學課醫療儀器變為哪幾個的地區和的地區科學研究部門、校園和中小型公司必沒法少的機器。開始反擊于全.球性排名第三點代半導體技術第三產業跑馬圈地擴張性產值，試驗設施機 這個領域雖為坐享業務需求分紅，持繼熱賣。近三年以來，我國外不低中小型公司運行不斷，重點要素的試驗設施機 不再是被少數民族中小型公司壟斷競爭，餐飲行業全.球性排名化速度看不出提高，中華銷售市場試驗設施機 的國產系列化率也在慢慢發展。

        致力于第三點代光電器件設備的軟件各種測試儀標準，廣州普賽斯什么是創新面市SiC/IGBT/GaN工作使用率元電子元件冗余參數表值軟件各種測試儀徹底運輸方案設計，為SiC和GaN元電子元件給予信得過的軟件各種測試儀技術手段，體現工作使用率光電器件設備元電子元件冗余參數表值的高精密度較、極有使用率率在測量和解析，車輛已被國產外多個前十強光電器件設備廠家檢驗和APP。

國產測試設備出海機遇海外市場發展空間廣闊

        第四代半導體芯片原材料行業技術包括以SiC、GaN為意味著的半導體芯片原材料行業技術涂料，與前隔代半導體芯片原材料行業技術涂料優于其優劣勢是有較寬的禁上行帶寬度，更是和于設計制作高溫高壓、低頻、抗覆蓋及大輸出瓦數的電商元功率設備，所以在5G基站天線、新發熱能源、光伏太陽能、風電設備、鐵路等方向擁有 具有廣泛性的應用軟件。Yole估計，全球性SiC輸出瓦數半導體芯片原材料行業技術銷售行業將從202在一年的15000萬美金上升至202七年的63000萬美金，年混合年上升率(CAGR)將可超過34%，GaN輸出瓦數元功率設備銷售行業將從202在一年的1.2六億美金上升到202七年的20億美金，年混合年上升率(CAGR)達到的59%。

資科來源地:Yole Development

        歷年里來，領先半導制造出裝置保留國前不久提拔等級出口到監管條例，從檢測裝置的訴求維度來說，中華餐飲市場的傳統品牌充當訴求高，條例基本要素也遭受了超高注意，被感覺是中華在半導領域行業“換道超車”的必要的機會。現在傳統品牌檢測裝置性和比較穩相關性的提拔，在單價和精準服務優勢的帶動力下，海外網站訴求也逐年的增加，利用區域空間美好。

        最近，南京普賽斯IGBT外部數據叁數測試程序進出口量內地，并已提交活動項目結束驗收，圖標著個性化生產研發的全國內化IGBT外部數據叁數測試機械真正入駐國際整個市場。

IGBT靜態參數測試的難點與挑戰

        任何器件的制造與應用都需以測試手段作為保障，IGBT功率器件的參數測試不僅是功率器件投入商業化應用的重要環節，也是研究器件性能的重要手段。根據測試條件不同，功率器件被測參數可分為兩大類：靜態參數和動態參數。靜態參數是指器件本身固有的，與工作條件無關的相關參數，如集射極熱擊穿的電壓降V(BR)CES、呈現飽和狀態集射極感應電流ICES、柵射極閥值的電壓降VGE(th)、填寫電阻（電阻器） Cies、單向高速傳輸電阻（電阻器）Cres、模擬輸出電阻（電阻器）Coes等。

         常見到的IGBT靜態式的叁數自測方法系統均現實存在于國際上牌子，某些專用生產裝備的自測方法交流電壓相當于3000V這些，工作直流電相當于1200A這些。而中國國家機構在髙壓（>3000V）和高工作直流電（>1000A）IGBT組件自測方法的方面與入口量專用生產裝備相對比貧富差距比較大，且廣泛現實存在自測方法精確度不足高、測定使用范圍有局限的問題。對待些鐵路交通運輸交通運輸用的髙壓大工作效率的IGBT單管、半橋組件，自測方法狀況需達標6500V/3000A，控制不了是入口量專用生產裝備還是要國產系列專用生產裝備都就很難達標自測方法規定要求。

圖:Si/SiC/GaN的銷售市場運用分布圖制作

高電壓、大電流：普賽斯IGBT靜態參數測試解決方案

        為回應許多行業各業對IGBT的衡量業務各種需求，東莞普賽斯單向裝修設計制作的概念、精益生產管理建設一個多款高細密電壓-電壓的IGBT冗余性能基本參數衡量操作機系統，可保證IV、CV、跨導等多種效果的綜合評估衡量，包括高計算精度、寬衡量使用范圍、組件化裝修設計制作的概念、隨意上升擴充等勝機，從而全部充分考慮從地基工作電壓電感、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導體行業SiC、GaN等晶圓、集成式電路芯片、元件及組件的冗余性能基本參數分析方法和衡量業務各種需求。操作機系統采用了組件化集成式的裝修設計制作的概念結構設計，為大家后期具備靈活性高調用或上升衡量組件保證了前所未有便利性和最好返修率，提高自己衡量學習效率相應產線UPH。         IGBT靜止參數指標測驗測驗程序支技交互式式系統自動改手動進行操作方法或緊密聯系測驗探針臺的系統自動進行操作方法，會在從預估設施和制定到最后淺析和大數據服務管理的整體定量分析步驟中保持高效率和可重覆的器材定量分析。也可與高超低溫箱、控溫電源模塊等配的使用，無法高超低溫測驗測驗實際需求。

        IGBT靜態參數測試系統主機內部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發射極，最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA級漏電流；集電極-發射極，最大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；最高支持3500V(可優化至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率最高支持1MHz，可靈活選配。

系統優勢/Feature

1、IGBT等大功率器件由于其功率特點極易產生大量熱量，施加應力時間長，溫度迅速上升，嚴重時會使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯各類高壓傳感器建造的的時段低于5ms，在檢查時中可縮短待測物加電的時段的變燙。

2、高壓電下漏電流的測評軟件特性優秀，測評軟件覆蓋住率遠遠高于國外廠家。市面上絕大多數器件的規格書顯示，小模塊在高溫測試時漏電流一般大于5mA，而車規級三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大40mA。普賽斯靜態系統高壓模塊測試幾乎可以完全應對所有類型器件的漏電流測試需求。

3、顯然，VCE(sat)測試圖片是定量分析 IGBT 導通輸出功率的最主要的數據，對開關按鈕輸出功率同樣千萬的反應。所需的使用飛速窄脈沖信號造成的電流值源，脈沖信號造成的提高沿時速要充足快時才會減掉器材起熱，同時設施設備所需有導入監測電壓降基本功能。

IGBT靜態式的測量裝置大電流大小量功能：50us—500us 的可以調節電流大小量脈寬，回落邊沿在 15us(常見值)，極大減少待測物在測量步驟中的發燙，使測量的結果會更加更準。下圖為 1000A 波形：

4、更快機靈的客制化夾具設計緩解方案格式：強大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點，可用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產品的測試。

結束語

        IGBT冗余性能指標測試測試模式算作高高新科技化產業的不斷發展的產品，以前在環球市面 上只被較少公司企業掌控。環球半導體枝術材料產業的不斷發展的不斷發展并且較為先進半導體枝術材料制作產品保證國出口值管理的提升，對國產產品產品來看可以說是挑釁也是契機。今后，廣州普賽斯將足夠進一步強化政治意識的枝術和去創新優點，繼續引領高高新科技化產業的不斷發展的產品正式出臺軟件，切實做出以枝術創造更好地價值。