盛夏已過，初秋開場

8月的高溫作業還是不肯不散現在的生活也免不掉被繁多的的工作轉生

壓力大額定功率(6500V/3000A)IGBT試驗難？伴由于新項目需求量急、人物重、需求高項目 師們壓差山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

猶豫SiC與Si功能的多種，SiC MOSFET的域值法端的交流電壓有不固定性分析，在元器檢測的過程中域值法端的交流電壓就有比較突出漂移，引發其電使用性能檢測同時氣溫柵偏實驗后的電檢測結杲可怕依賴關系于檢測因素。因為域值法端的交流電壓的準確性檢測，目前牢靠性檢測方式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電容 RDSon為危害元件上班時導通消耗的一核心特征描述數據，其目標值會隨 VGS 各類T的增加而增加。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流庇護是可以將工作電流值某些工作電流束縛在SOA空間，解決電子元器件毀損或炸管。

公測能力：800V 恒壓 10μA 限流

測驗標準：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）工作電流檢測工具線路將加強導通端電壓預估高精度；? SOCKET與PIN學習內阻、軟件測試引線導通內阻。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，交流電弧形自激振蕩；? 的線路等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常規同軸電力電纜的等效電阻與DUT串連，SMU測驗時持續增長或者不穩定性時刻長；? 三同軸電纜線等效電解電容可以說為0。

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