半導體分立器件根據基材不同,可分為不同類型。以硅基半導體為基材時,半導體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等;以寬禁帶材料半導體為基材時,半導體分立器件主要包括:SiC.GaN半導體功率器件。
收起來他們關鍵性分享適用較廣泛的二級管、晶體管及MOS管的特征參數以至于電特點測評難點。
1、二極管
二級管是一個種選擇半導體芯片文件制作方法而成的單邊導電性元電子元件,軟件成分通常情況為單獨PN結成分,只合法電流量從集中化路徑流下。轉型有史以來,已即將轉型出整流二級管、肖特基二級管、快恢復正常二級管、PIN二級管、光電公司二級管等,極具的安全穩定性等性。器件特性:結壓降、不能變,伏安特性要會看,正阻強大反阻軟,測量全憑它來管。
測試要點:正向壓降測試(VF)、反向擊穿電壓測試(VR)、C-V特性測試
2、三極管
晶體管是在一處半導體設備設備基片上創作好幾個距離非常近的PN結,好幾個PN結把整面半導體設備設備劃分成三部曲分,期間區域是基區,下方區域是發射成功區和集電區。器件特性:三極管,不簡單,幾個特性要記全,輸入輸出有曲線,各自不同有深淺。
測試要點:輸入/輸出特性測試、極間反向電流測試、反向擊穿電壓測試(VR)、C-V特性測試
3、MOS管
MOSFET(五金―氧化反應物光電電子元件芯片場效果結晶體管)有的是種運用交變電場效果來管控其電流線電壓電流規格的較為常見光電電子元件芯片配件,是能能很廣應用領域在摸擬用電線路板和金額用電線路板的時候。MOSFET是能能由硅自制,也是能能由納米技術建材,碳納米技術管等建材自制,是建材及配件分析的熱點事件。重要參數值有輸人/打出性能特點的曲線、閾值法電流線電壓VGs(th)、漏電流線電壓電流lGss、lDss,穿透電流線電壓VDss、底頻互導gm、打出功率電阻RDs等。器件特性:箭頭向里,指向N,N溝道場效應管;箭頭向外,指向P,P溝道場效應管。
測試要點:輸入/輸出特性測試、閾值電壓測試VGS(th)、漏電流測試、耐壓測試、C-V測試
所以,何為電性能測試?半導體分立器件該如何進行電性能測試?
半導體元件分立元件電能測量是理解測元件施用額定電壓電流值大小或電流值大小,后來測量其對獎勵激勵修出的加載,通以往的分立元件特點因素測量需幾個測試儀器到位,如數字化萬用表、額定電壓電流值大小源、電流值大小源等。實現半導體設備分立配件性能指標產品參數探討的最好工具軟件之中是“五合二為一”羅馬數字源表(SMU),集各種各樣用途于一身。如需獲取半導體分立器件電性能測試指南,請聯系我們!
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